FF6MR12W2M1PB11BPSA1是英飛凌科技旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供FF6MR12W2M1PB11BPSA1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FF6MR12W2M1PB11BPSA1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 80mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 496nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14700pF @ 800V |
| Power - Max | 20mW (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET MODULE LOW POWER EASY。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V。
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5.55V @ 80mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（496nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（14700pF @ 800V）、Power - Max（20mW (Tc)）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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