SP8K32MB1TB1是羅姆半導體旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供SP8K32MB1TB1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供SP8K32MB1TB1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 10V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
SP8K32MB1TB1 是由 羅姆半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 8SOP。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)。
SP8K32MB1TB1 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（65mOhm @ 4.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（500pF @ 10V）、Power - Max（2W (Ta)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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