IPG20N04S409ATMA1是英飛凌科技旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供IPG20N04S409ATMA1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IPG20N04S409ATMA1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 22μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
| Power - Max | 54W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
IPG20N04S409ATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N-CHANNEL_30/40V。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V。
IPG20N04S409ATMA1 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 22μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（28nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2250pF @ 25V）、Power - Max（54W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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