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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 375A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.83mOhm @ 375A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.15V @ 168mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1000nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29800pF @ 25V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-62MM |
FF3MR12KM1PHOSA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MEDIUM POWER 62MM。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 375A, 15V。
FF3MR12KM1PHOSA1 共有 13 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(5.15V @ 168mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(1000nC @ 15V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(29800pF @ 25V)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Chassis Mount) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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