首頁 > FET、MOSFET 陣列 > 萬國半導體 > AONU32320

| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 15A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Power - Max | 5W (Ta), 16.5W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | 8-DFN (3x3) |
AONU32320 是由 萬國半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V DFN 3X3 EP。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 15A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V。
AONU32320 共有 14 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(2.3V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(40nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1500pF @ 15V)、Power - Max(5W (Ta), 16.5W (Tc))、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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