| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel Complementary |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA (Ta), 130mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA, 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V, 45pF @ 25V |
| Power - Max | 200mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
BSS8402DW-7-G 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel Complementary、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V。
BSS8402DW-7-G 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA, 2V @ 1mA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（50pF @ 25V, 45pF @ 25V）、Power - Max（200mW (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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