NXH010P120MNF1PG是安森美旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NXH010P120MNF1PG現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供NXH010P120MNF1PG datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 40mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 454nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4707pF @ 800V |
| Power - Max | 250W (Tj) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
NXH010P120MNF1PG 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V。
NXH010P120MNF1PG 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.3V @ 40mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（454nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（4707pF @ 800V）、Power - Max（250W (Tj)）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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