| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28.5pF @ 30V |
| Power - Max | 320mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
DMN61D9UDW-13 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V。
DMN61D9UDW-13 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.4nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（28.5pF @ 30V）、Power - Max（320mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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