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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 16V |
| Power - Max | 150mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
SI3139KDW-TP 是由 微電子元件公司 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 4.5V。
SI3139KDW-TP 共有 13 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1.1V @ 250μA)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(175pF @ 16V)、Power - Max(150mW (Ta))、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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