IRF8910TRPBF-1是英飛凌科技旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供IRF8910TRPBF-1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IRF8910TRPBF-1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
IRF8910TRPBF-1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V。
IRF8910TRPBF-1 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.55V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（960pF @ 10V）、Power - Max（2W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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