NXV08B800DT1是安森美旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NXV08B800DT1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供NXV08B800DT1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | - |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.46mOhm @ 160A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 502nC @ 12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30150pF @ 40V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) |
| Supplier Device Package | APM17-MDC |
NXV08B800DT1 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。IC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 80V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.46mOhm @ 160A, 12V、Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V。
NXV08B800DT1 共有 11 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（30150pF @ 40V）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C (TA)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)）、Supplier Device Package（APM17-MDC） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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