| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
PHN210,118 是由 恩智浦半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V。
PHN210,118 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（250pF @ 20V）、Power - Max（2W）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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