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NTMFD0D9N02P1E是安森美旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NTMFD0D9N02P1E現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供NTMFD0D9N02P1E datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價(jià),發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 30A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V, 720μOhm @ 41A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 340μA, 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V |
| Power - Max | 960mW (Ta), 1.04W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
NTMFD0D9N02P1E 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 30A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 720μOhm @ 41A, 10V。
NTMFD0D9N02P1E 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(2V @ 340μA, 2V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V)、Power - Max(960mW (Ta), 1.04W (Ta))、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 安森美:安森美(onsemi)作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者,致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局,為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別,包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分,安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合,有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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