| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250μA, 1.15V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V, 1632pF @ 15V |
| Power - Max | 6W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Supplier Device Package | 8-LSON (3.3x3.3) |
CSD87330Q3DT 是由 德州儀器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。PROTOTYPE。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)。
CSD87330Q3DT 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.1V @ 250μA, 1.15V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（900pF @ 15V, 1632pF @ 15V）、Power - Max（6W (Ta)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡稱TI）是一家全球領先的半導體設計和制造企業，專注于開發模擬集成電路和嵌入式處理器。通過匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創造出塑造科技未來的創新成果。TI正助力超過10萬名客戶在當下變革未來。
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