DI7A6N04SQ2是泰迪半導(dǎo)體旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供DI7A6N04SQ2現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供DI7A6N04SQ2 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線(xiàn)詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 20V |
| Power - Max | 3.1W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
DI7A6N04SQ2 是由 泰迪半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。MOSFET, SO-8, 40V, 7.6A, 150C,。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)。
DI7A6N04SQ2 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（28mOhm @ 7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.6V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（18nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（870pF @ 20V）、Power - Max（3.1W (Tc)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。
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