MMUN2112LT1G是安森美旗下的單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MMUN2112LT1G現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供MMUN2112LT1G datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線(xiàn)詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 246 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
MMUN2112LT1G 是由 安森美 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類(lèi)電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 22 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms。
MMUN2112LT1G 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（60 @ 5mA, 10V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（246 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶(hù)實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋了廣泛的**電子元件**類(lèi)別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過(guò)其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶(hù)在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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