| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
DRDNB16W-7 是由 德利通 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode、Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
DRDNB16W-7 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（56 @ 50mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（200 MHz）、Power - Max（200 mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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