| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Resistor - Base (R1) | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Power - Max | 2 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Supplier Device Package | MPT3 |
DTDG14GPT100 是由 羅姆半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 1 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V。
DTDG14GPT100 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（400mV @ 5mA, 500mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA (ICBO)）、Frequency - Transition（80 MHz）、Power - Max（2 W）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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