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| Product Status | Active |
| Transistor Type | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Power - Max | - |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
PDTB123YT/APGR 是由 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。PDTB12PRESISTOR-EQUIPPTRANSISTOR。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active。
關(guān)于 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體：美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體（National Semiconductor），這家在半導(dǎo)體行業(yè)擁有悠久歷史和卓越聲譽(yù)的**元器件**企業(yè)，以其創(chuàng)新的技術(shù)和高質(zhì)量的**電子元件**聞名于世。品牌創(chuàng)立于1959年，總部設(shè)在美國(guó)，歷經(jīng)數(shù)十載的沉淀與發(fā)展，已成為高性能模擬和混合信號(hào)**IC芯片**領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者之一。國(guó)家半導(dǎo)體始終致力于為全球客戶提供領(lǐng)先的**元器件**解決方案，其產(chǎn)品線廣泛，涵蓋了模擬信號(hào)處理、電源管理、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、放大器、以及接口**IC芯片**等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心功能提供強(qiáng)有力的支持。
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