MIMD10A-7-F是德利通旗下的雙極晶體管陣列，預偏置 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供MIMD10A-7-F現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MIMD10A-7-F datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 100Ohms, 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz, 200MHz |
| Power - Max | 200mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
MIMD10A-7-F 是由 德利通 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 100Ohms, 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。
MIMD10A-7-F 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 1mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250MHz, 200MHz）、Power - Max（200mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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