| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 65V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 230mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
NSM11156DW6T1G 是由 安森美 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 65V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。
NSM11156DW6T1G 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300μA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（230mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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