NSBC123JPDXV6T5G是安森美旗下的雙極晶體管陣列，預偏置 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NSBC123JPDXV6T5G現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供NSBC123JPDXV6T5G datasheet數(shù)據手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 500mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
NSBC123JPDXV6T5G 是由 安森美 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 2.2kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。
NSBC123JPDXV6T5G 共有 13 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（80 @ 5mA, 10V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（500mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安森美代理商，專業(yè)供應NSBC123JPDXV6T5G等雙極晶體管陣列，預偏置 產品。如您需要NSBC123JPDXV6T5G的datasheet數(shù)據手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
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