| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Power - Max | 250mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-PO |
BCR 133S H6444 是由 英飛凌科技 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。
BCR 133S H6444 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500μA, 10mA）、Frequency - Transition（130MHz）、Power - Max（250mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 英飛凌科技：**英飛凌科技（Infineon Technologies）：驅動未來電子世界的核心力量**
BCR 133S H6444 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 英飛凌科技 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供BCR 133S H6444價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 BCR 133S H6444 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是英飛凌科技代理商，專業供應BCR 133S H6444等雙極晶體管陣列，預偏置 產品。如您需要BCR 133S H6444的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供BCR 133S H6444現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
