| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 20V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA, 100nA |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 1.5W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
PBLS2002S,115 是由 恩智浦半導體 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 20V、Resistor - Base (R1): 4.7kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms。
PBLS2002S,115 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA, 100nA）、Frequency - Transition（100MHz）、Power - Max（1.5W） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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