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PBLS4002V,115是恩智浦半導(dǎo)體旗下的雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PBLS4002V,115現(xiàn)貨庫存與價格報(bào)價查詢。我們可為您提供PBLS4002V,115 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 40V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
PBLS4002V,115 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 類電子元器件。TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V、Resistor - Base (R1): 4.7kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms。
PBLS4002V,115 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(1μA)、Frequency - Transition(300MHz)、Power - Max(300mW) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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