| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 40V |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
PBLS4004V,115 是由 恩智浦半導體 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V、Resistor - Base (R1): 22kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms。
PBLS4004V,115 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA）、Frequency - Transition（300MHz）、Power - Max（300mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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