| Product Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | EMT6 |
EMH1FHAT2R 是由 羅姆半導體 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Resistor - Base (R1): 22kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V。
EMH1FHAT2R 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500μA, 10mA）、Frequency - Transition（250MHz）、Power - Max（150mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SOT-563, SOT-666） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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