ULQ2003D1013TR是意法半導(dǎo)體旗下的雙極晶體管陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供ULQ2003D1013TR現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供ULQ2003D1013TR datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | 7 NPN Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500μA, 350mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Power - Max | - |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 16-SO |
ULQ2003D1013TR 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: 7 NPN Darlington、Current - Collector (Ic) (Max): 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500μA, 350mA、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V。
ULQ2003D1013TR 共有 10 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)）、Supplier Device Package（16-SO） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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