| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 3V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 320MHz, 300MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Supplier Device Package | TSMT5 |
QS5Y2FSTR 是由 羅姆半導體 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)、Current - Collector (Ic) (Max): 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A、Current - Collector Cutoff (Max): 1μA (ICBO)。
QS5Y2FSTR 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（180 @ 50mA, 3V）、Power - Max（500mW）、Frequency - Transition（320MHz, 300MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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