NSS40300DDR2G是安森美旗下的雙極晶體管陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NSS40300DDR2G現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供NSS40300DDR2G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 653mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
NSS40300DDR2G 是由 安森美 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
NSS40300DDR2G 共有 13 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（180 @ 1A, 2V）、Power - Max（653mW）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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