MMDT2907AQ_R1_00001是磐成旗下的雙極晶體管陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供MMDT2907AQ_R1_00001現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MMDT2907AQ_R1_00001 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 150mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
MMDT2907AQ_R1_00001 是由 磐成 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。SOT-363, TRANSISTOR。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 600mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 50nA。
MMDT2907AQ_R1_00001 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 150mA, 10V）、Power - Max（150mW）、Frequency - Transition（200MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 磐成：PANJIT（磐成）作為一家全球性的集成器件制造商（IDM），憑借其深厚的技術積淀和前瞻性的發展戰略，致力于為全球客戶提供卓越的電子元器件解決方案。公司擁有豐富的產品線，涵蓋了廣泛的電子元件類型，包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二極管、前沿的碳化硅（SiC）器件、經典的雙極結型晶體管（BJT）、整流橋等關鍵電子元器件。這些產品憑借其出色的性能和可靠的質量，廣泛應用于各種嚴苛的電子設備之中。
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