| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
BC847PNHE3-TP 是由 微電子元件公司 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。NPN TRANSISTORS, SOT-363。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)。
BC847PNHE3-TP 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V）、Power - Max（200mW）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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