| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
MMDT3906HE3-TP 是由 微電子元件公司 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。DUAL PNP TRANSISTORS, SOT-363。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 200mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA、Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)。
MMDT3906HE3-TP 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 10mA, 1V）、Power - Max（200mW）、Frequency - Transition（250MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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