DSS4160FDBQ-7是德利通旗下的雙極晶體管陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供DSS4160FDBQ-7現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供DSS4160FDBQ-7 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 290 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 405mW |
| Frequency - Transition | 175MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
DSS4160FDBQ-7 是由 德利通 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。SS Low Sat Transistor U-DFN2020-。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 1A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
DSS4160FDBQ-7 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（290 @ 100mA, 2V）、Power - Max（405mW）、Frequency - Transition（175MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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