| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 330mV @ 300mA, 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 10V |
| Power - Max | 1.47W |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 (Type UXD) |
DXTN3C100PDQ-13 是由 德利通 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。SS Low Sat Transistor PowerDI506。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA。
DXTN3C100PDQ-13 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（150 @ 500mA, 10V）、Power - Max（1.47W）、Frequency - Transition（130MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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