| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 510mW |
| Frequency - Transition | 165MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
PBSS4130PANP,115 是由 恩智浦半導體 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。NOW NEXPERIA PBSS4130PANP - SMAL。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 1A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
PBSS4130PANP,115 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（210 @ 500mA, 2V）、Power - Max（510mW）、Frequency - Transition（165MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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