| Product Status | Active |
| Transistor Type | 7 NPN Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600μA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500μA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Power - Max | 1W |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Supplier Device Package | 16-DIP |
ULS2014R-883 是由 安森美半導體 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLI。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: 7 NPN Darlington、Current - Collector (Ic) (Max): 600mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600μA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 500μA。
ULS2014R-883 共有 11 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（1W）、Operating Temperature（-55°C ~ 125°C (TA)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（16-DIP (0.300", 7.62mm)）、Supplier Device Package（16-DIP） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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