| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gain | 20dB |
| Power - Max | 175mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-PO |
BFS481H6327XTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN (Dual)、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 8GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz、Gain: 20dB。
BFS481H6327XTSA1 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（175mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 5mA, 8V）、Current - Collector (Ic) (Max)（20mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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