BFR193FH6327XTSA1是英飛凌科技旗下的雙極射頻晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BFR193FH6327XTSA1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BFR193FH6327XTSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Power - Max | 580mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Supplier Device Package | PG-TSFP-3 |
BFR193FH6327XTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 8GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz、Gain: 12.5dB。
BFR193FH6327XTSA1 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（580mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 30mA, 8V）、Current - Collector (Ic) (Max)（80mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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