BFP840FESDH6327XTSA1是英飛凌科技旗下的雙極射頻晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BFP840FESDH6327XTSA1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BFP840FESDH6327XTSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.6V |
| Frequency - Transition | 85GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.75dB @ 5.5GHz |
| Gain | 35dB |
| Power - Max | 75mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 10mA, 1.8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | PG-TSFP-4-1 |
BFP840FESDH6327XTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V、Frequency - Transition: 85GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz、Gain: 35dB。
BFP840FESDH6327XTSA1 共有 13 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（75mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（150 @ 10mA, 1.8V）、Current - Collector (Ic) (Max)（35mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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