BFP640ESDH6327XTSA1是英飛凌科技旗下的雙極射頻晶體管 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供BFP640ESDH6327XTSA1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BFP640ESDH6327XTSA1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
| Frequency - Transition | 46GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Gain | 7dB ~ 30dB |
| Power - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4-2 |
BFP640ESDH6327XTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V、Frequency - Transition: 46GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz、Gain: 7dB ~ 30dB。
BFP640ESDH6327XTSA1 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（200mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（110 @ 30mA, 3V）、Current - Collector (Ic) (Max)（50mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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