| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.8V |
| Frequency - Transition | 55GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
| Gain | - |
| Power - Max | 197mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 205 @ 2mA, 2V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-343F |
| Supplier Device Package | 4-DFP |
BFU730F,115 是由 恩智浦半導體 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V、Frequency - Transition: 55GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz、Power - Max: 197mW。
BFU730F,115 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（205 @ 2mA, 2V）、Current - Collector (Ic) (Max)（30mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SOT-343F） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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