NSVF6001SB6T1G是安森美旗下的雙極射頻晶體管 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供NSVF6001SB6T1G現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供NSVF6001SB6T1G datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 6.7GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Gain | 11dB |
| Power - Max | 800mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | 6-CPH |
NSVF6001SB6T1G 是由 安森美 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 6.7GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz、Gain: 11dB。
NSVF6001SB6T1G 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（800mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（90 @ 30mA, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（100mA）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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