| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 20 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 μA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr, F | 730pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
SCS220AJTLL 是由 羅姆半導體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 20A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
SCS220AJTLL 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（400 μA @ 600 V）、Capacitance @ Vr, F（730pF @ 1V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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