| Product Status | Active |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 μs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 μA @ 1000 V |
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Supplier Device Package | DO-41 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
1N4007-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V、Current - Average Rectified (Io): 1A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A、Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)。
1N4007-TP 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（2 μs）、Current - Reverse Leakage @ Vr（5 μA @ 1000 V）、Capacitance @ Vr, F（15pF @ 4V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（DO-204AL, DO-41, Axial） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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