| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 16.7A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 6 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 μA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 224pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
IV1D06006P3 是由 英威芯科技 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 16.7A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
IV1D06006P3 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（10 μA @ 650 V）、Capacitance @ Vr, F（224pF @ 1V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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