IV1D12010O2是英威芯科技旗下的單二極管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IV1D12010O2現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IV1D12010O2 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 28A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 μA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | 575pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
IV1D12010O2 是由 英威芯科技 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io): 28A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
IV1D12010O2 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（50 μA @ 1200 V）、Capacitance @ Vr, F（575pF @ 1V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-2） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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