| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 μA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | 575pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
IV1D12010T2 是由 英威芯科技 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io): 30A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
IV1D12010T2 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（50 μA @ 1200 V）、Capacitance @ Vr, F（575pF @ 1V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-247-2） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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