國際電子商情28日訊 當地時間1月26日，美光科技宣布，位于新加坡現有NAND閃存制造園區內的先進晶圓制造廠正式破土動工。該工廠計劃在未來十年內總投資約240億美元，預計于2028年下半年投產，將成為新加坡首座雙層晶圓制造工廠，提供約70萬平方英尺的無塵室空間。美光表示，此次投資將創造約1600個就業崗位，旨在滿足人工智能驅動下對NAND閃存不斷增長的市場需求。
資料顯示，美光在新加坡已有大規模制造布局，其98%的閃存芯片在當地生產。此外，美光還正在新加坡建設一座價值70億美元的先進封裝工廠，專門生產人工智能芯片所需的高帶寬內存（HBM），預計2027年投產。
與此同時，其他存儲芯片巨頭也積極擴產。SK海力士計劃將一座新工廠的投產時間提前三個月，并于2月開始運營另一座新工廠。有外媒報道稱，SK海力士已被選為微軟人工智能芯片Maia 200所采用的HBM3E內存的獨家供應商。該芯片搭載的HBM3E內存總容量為216GB，配備了六個12層HBM3E內存模塊。
另外，韓國《電子時報》1月25日報道稱，三星電子則在今年第一季度將NAND閃存的供應價格上調了100%以上，漲幅高于市場預期，凸顯了當前存儲芯片市場嚴重的供需失衡現狀。
當前，全球存儲芯片市場由美光科技以及韓國競爭對手SK海力士、三星電子主導。這三家公司近來優先生產AI算力基建所需的高端存儲芯片，導致用于個人電腦和手機的傳統存儲芯片也面臨供應短缺。
我們正處于“超級周期”
全球存儲芯片市場正經歷供需嚴重失衡。TrendForce數據顯示，2026年全球服務器出貨量年增長率預計為12.8%，其中AI服務器出貨量年增長率達28%以上。DRAM和NAND Flash的合約價格持續上漲，預計2026年存儲器產業產值同比增長134%至5516億美元，2027年將繼續增長53%至8427億美元。
對此火爆行情，EDA巨頭新思科技首席執行官Sassine Ghazi表示，芯片短缺現象預計將在2026年和2027年持續，主要原因是AI基礎設施對內存芯片的需求達到前所未有的水平，而擴產需要至少兩年時間。
事實上，美光科技在去年底發布2026財年第一季度業績報告時就曾做出過這樣的預測。
美光科技預測，存儲市場供應緊張的情況將持續到2026年以后，HBM總潛在市場預計以約40%的復合年增長率增長，從2025年的約350億美元增長到2028年的約1000億美元。
在華爾街，高盛和野村等投資機構判斷，全球存儲器市場正在經歷“三重超級周期”，DRAM、NAND和HBM的需求同時激增，這一趨勢預計將持續到2027年。
