用于人工智能存儲的NAND(閃存)將借助DRAM(內存)需求的東風，而磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)和鐵電隨機存取存儲器(FRAM)等新興存儲器仍將繼續深耕更小眾、產量更低的細分市場，同時努力突破規模經濟瓶頸。
TechInsights《2026年存儲器展望報告》指出，人工智能正面臨關鍵轉折點——傳統存儲技術已無法滿足功耗與性能需求，這意味著存儲技術正成為數據經濟的瓶頸。未來一年將成為存儲器技術突破的關鍵時期，以直面人工智能發展的需求挑戰。
在接受《EETimes》采訪時，TechInsights公司DRAM與存儲器市場總監Mike Howard表示，處理器與存儲器之間的性能差距將推動高帶寬存儲器(HBM)和CXL協議的應用，以突破“存儲墻”。
但Howard指出，這堵墻并非未來一年唯一的挑戰。他解釋道，超大規模企業自2023年末開始為2025年產能儲備而進行的“瘋狂支出”，導致整個行業面臨晶圓產能短缺，生產重心正從DDR和LPDDR轉向HBM以滿足人工智能需求。“HBM的利潤率實在太誘人了，這些公司爭先恐后地擴充HBM產能。”
Howard補充道，人工智能需求的上限也不明朗。“從產能角度來看，我們根本無法滿足需求。”
消費類設備將首當其沖承受DRAM供應短缺的沖擊
Howard指出，人工智能數據中心不僅需要高帶寬內存(HBM)。許多智能代理型人工智能工作負載僅需傳統服務器，而這類服務器的需求同樣強勁。“當前DRAM供應嚴重不足。”
TechInsights預測SK海力士將在2026年生產4萬片晶圓，其中大部分將用于HBM芯片，Howard表示。他指出，三星在韓國平澤市擁有部分產能，但美光科技位于美國愛達荷州的第二座晶圓廠要到2027年才能投產。
Howard表示，由于供應嚴重不足而需求強勁，這種短缺導致DRAM制造商的價格上漲、利潤率提高。
這種繁榮并非史無前例——DRAM和閃存市場歷來遵循繁榮-蕭條的周期模式。Howard指出，此次內存需求的回升源于疫情后的低迷期，但即便在低谷期，需求水平也高于以往。“我們不再淘汰企業了，行業整合已經完成。”
Howard表示，無論HBM還是DDR5的可用供應，都將分配給擁有充足資金的大型科技公司，這意味著DRAM供應不足將導致智能手機等消費類設備出現短缺。
TechInsight對存儲供應趨緊的預測，與Counterpoint Research在2025年11月下旬發布的《生成式AI內存解決方案》雙周報告觀點一致。該報告預測，由于關鍵芯片短缺，內存價格可能從當前水平持續上漲，直至2026年第二季度漲幅達50%。
Howard表示，對DRAM需求旺盛的預測需要考慮到人工智能帶來的不確定性——其在2023年的迅猛崛起可能只是泡沫的開端，未來一年內就可能破滅。“每當你讀到需求火爆的報道時，就會有關于人工智能泡沫的對應報道。”
Howard補充道，DRAM制造商們并未忘記2018年的行業衰退，其中許多企業還經歷過2008年的低谷。“他們深諳行業周期性，是現實主義者。”
這意味著，2026年資本支出將增長20%，但同時制定了應急預案以備緊急剎車。“他們或許在小口啜飲‘酷愛’飲料，但絕非一飲而盡。”
Howard指出，當前行業對DRAM的集中關注可能導致NAND閃存獲得的資源相對有限。但NAND閃存仍將因AI需求激增帶來的存儲擴容機遇，以及HDD供應短缺引發的SSD替代效應而顯著受益，且這一趨勢正因HDD產能瓶頸而加速強化。
他指出，硬盤制造商預計需要18個月才能提升產能，但他們不希望陷入供過于求的境地。“HDD短缺正推動更多需求轉向SSD。”
NAND投資不足給AI存儲帶來壓力
Howard表示，自人工智能誕生以來，吞吐量變得越來越重要，這對SSD而言是利好消息。但過去五年間，NAND領域投資嚴重不足——因盈利狀況不佳，導致企業不愿投入資金。
閃存制造商Phison USA(群聯美國)首席技術官Sebastien Jean向《EETimes》透露，該公司正密切關注NAND供應態勢。“NAND行業具有周期性特征，當前正經歷減產與AI驅動需求共同導致的供應緊張階段。”
Phison USA 首席技術官Sebastien Jean 圖片來源：Phison USA
他指出，群聯的視角與純粹的NAND制造商略有不同，因為公司處于生態系統的核心位置。“我們與所有主要NAND供應商保持緊密合作，客戶覆蓋服務器、汽車、工業及游戲等廣泛領域，因此對供需雙方的動態都擁有清晰的洞察。”
從運營角度而言，Jean補充道，群聯早已為供應趨緊做好準備。“我們的控制器和固態硬盤均通過多代NAND及多家供應商的認證。通過與供應商和客戶建立長期合作關系并保持緊密協調，我們有效緩解了NAND短缺問題。”
他表示群聯電子還具備同時啟用多源NAND的靈活性。“盡管行業需要持續投資以跟上人工智能和高密度固態硬盤的發展路線圖，但我們有信心在未來周期中持續支持企業級和人工智能客戶。”
Jean解釋道，AI已將存儲從后臺服務轉變為一線性能組件，這對AI管道的運作至關重要。他們需要能夠維持高帶寬和IOPS，同時將尾部延遲控制在較低水平的SSD。“這也是我們看到企業將關鍵AI數據集從磁盤轉移到閃存的重要原因。”他如是說。
群聯觀察到，市場對專為AI優化的新型SSD存在需求，其優化方向已突破傳統速度與延遲的局限。“AI模型變得越來越大，能處理的信息也越來越多。”
這意味著SSD必須同時滿足兩個硬性要求：更靠近GPU的內存和存儲層更大的容量。“我們正看到GPU與SSD之間更多的協同，這能大幅提升用戶體驗，而無需承擔將存儲直接放在GPU上的風險。”Jean表示。
邊緣計算與車載領域也在推動內存需求
Jean表示，除了超大規模和企業級數據中心外，群聯電子還在邊緣計算、嵌入式系統、終端設備，以及汽車和政府等垂直市場看到了強勁的SSD需求。
“在邊緣端，機器人、工業物聯網和電信節點已開始運行本地AI推理，這使得低延遲、高可靠性的閃存存儲成為剛需。”他說道，“汽車平臺正為ADAS、車載信息娛樂和數據記錄系統部署更多閃存，同時政府與國防領域也在推進安全、本地的AI部署。”
Jean補充道，所有這些領域的共同點是：一旦AI融入工作流程，機械硬盤就難以滿足延遲、功耗和耐用性要求，因此閃存成為默認選擇。
TechInsights的Howard確認了這些趨勢——邊緣應用領域存在數萬億臺設備，需要更多內存和存儲來運行AI。他表示，汽車領域也是需求驅動因素，盡管該領域的存儲需求增速較慢。“隨著時間推移，汽車半導體含量正穩步提升。”
汽車內存采購商正面臨價格上漲，Howard指出DRAM的小型客戶將不得不爭奪配額。他指出，DRAM供不應求疊加硬件架構轉型，可能為新興存儲器創造機遇。“我們正從CPU主導的計算范式轉向GPU主導的范式。”
隨著DRAM價格“瘋狂”上漲，半年前看似不經濟性的新興存儲器現在開始顯得更有吸引力。“如果再結合某種性能提升或差異化設計，這里就存在機會。”
新興存儲器的機遇與AI無關
近期Objective Analysis首席分析師Jim Handy與Coughlin Associates總裁Tom Coughlin共同主持的網絡研討會的核心觀點是：磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、相變存儲器(PCM)、電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)和鐵電隨機存取存儲器(FRAM)等新興存儲器的應用并非由人工智能驅動。
Objective Analysis首席分析師Jim Handy 圖片來源：Objective Analysis
Handy指出，這些存儲器都具備共同特性：采用單晶體管單元，且運行速度比閃存更快。它們均屬于非易失性存儲器，與DRAM和SRAM不同。“這是一大優勢。”
英特爾的3D Xpoint相變存儲技術Optane，旨在將這種持久性存儲特性更緊密地融入處理器核心，Handy指出這固然有其優勢，但構建配套基礎設施卻耗時甚久。
Handy強調，所有新興存儲器都具備SRAM、NAND和NOR閃存所不具備的就地寫入能力，這意味著它們具有更優的可擴展性。其耐用性也遠超NAND閃存。“其磨損機制遠不像處理閃存那樣復雜。”
新興存儲器既可以是嵌入式的，也可以是獨立式的。Coughlin表示，圍繞MRAM的嵌入式應用掛廣泛，尤其是在嵌入式應用中NOR閃存正被逐步淘汰，因為它無法在28納米以下制程中縮放(編者按：NOR Flash的制造工藝限制了其尺寸的縮小，目前最小的制程技術為28納米)。“如果你要更新代碼存儲，它還存在耐久性問題。”他補充道。
目前，有多家公司正在生產多種類型的MRAM，包括Everspin、臺積電、三星和格羅方德。“該技術獲得了廣泛支持，在實際應用領域目前處于領先地位。”
Coughlin指出，另一主要競爭者是電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)，其包含適用于分立式和嵌入式應用的多種類型，長期來看有望超越其他新興存儲器技術。“該技術采用制造領域已普遍使用的材料，同時具備抗輻射特性，”他表示，“目前存在眾多參與者和多種技術路線。”
Coughlin Associates總裁Tom Coughlin 圖片來源: Coughlin Associates
但可以說，應用最廣泛的新興存儲器是FRAM，它在某些形式下具有較高的產量，但晶圓投片速率較低，Coughlin表示。
FRAM已應用于金融智能卡、交通支付及機頂盒領域。相較于現有EEPROM技術，FRAM更能抵御電場和輻射導致的數據損壞。
Coughlin指出，FRAM的吸引力在于其低功耗、高速和高耐久性。該存儲器的缺點在于與傳統工藝不兼容，且部分材料在半導體制造環境中存在兼容性問題。
第四種具有潛力的新興存儲器是相變存儲器(PCM)。Coughlin表示，該技術因高能耗和熱敏感性面臨挑戰。“材料方面存在一定難度。”
最引人注目的相變存儲器形態是美光與英特爾聯合開發的3D Xpoint技術，后者將其以Optane品牌推向市場。Coughlin透露，雖有傳聞稱其他公司正在開發基于相變存儲器的技術，但目前尚未出現重大商業化進展。
新興存儲器仍面臨規模經濟困境
Handy指出，相較于DRAM和NAND閃存等主流存儲器標準，市場因素影響著新興存儲器的普及程度。
存儲器是嵌入式還是分立式是一個重要因素，這兩者屬于截然不同的市場；Handy表示，新興存儲器的整體機會主要集中在小眾應用領域，而目前分立和獨立的存儲芯片正是在這些領域銷售。
“軍事和航空航天是新興存儲器將找到需求的兩個市場，部分原因在于它們具備抗輻射能力，Handy表示，無論是用于武器系統還是衛星，地球軌道輻射非常強。‘該市場的單位出貨量可能較低，但價格極高，’他說，‘這在某種程度上成為許多公司的救命稻草。’”
工業市場也在采用新興存儲器，醫療可穿戴設備領域亦如此，因為其低功耗特性使助聽器和心臟起搏器等設備能夠實現更長的電池續航。Handy表示，跨越寬溫度范圍的耐久性和可靠性也是新興存儲器的吸引特性，尤其是在汽車應用中。
隨著NOR閃存和SRAM逐漸觸及擴展極限，這應會為新興存儲器帶來一場“意外之財”，他表示。
Handy和Coughlin對新興存儲器的整體預測是，嵌入式形式將推動早期出貨量，而晶圓產量將繼續驅動規模經濟效應將為獨立芯片開拓新的市場。
但實現規模經濟仍然是影響新興存儲器采用的最大因素，Handy表示：“這些新技術可能會帶來更小的芯片尺寸，但這并不保證器件會更便宜。”
晶圓產量對新興存儲器生產成本影響巨大，而低價永遠比功能更具競爭力。“這確實是個先有雞還是先有蛋的問題。在產量提升前，你根本無法與成熟技術抗衡。”Handy說。
